小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化！

　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”美国苹果id能下载电影软件，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1

　　Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块，延长链路距离，提高抗ESD可靠性

　　器件符合IrDA®标准，采用内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术，可以即插即用的方式替换现有解决方案美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海 — 2024年3月13日— 日前，威世科技

　　Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线

　　加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚&

　　在最新的存储市场动态中，存储芯片大厂的减产策略显现出其效果，特别是在DDR内存领域。 根据台湾工商时报的最新报道，第四季度的内存芯片合约价格出现了超出预期的上涨。 这一价格变动尤其在DDR5芯片上表现突出，其价格上涨幅度达到了15-20%，而DDR4和DDR3的涨幅分别为10-15%和10%

　　麒麟5G芯片全面回归，替代高通4G芯片，华为手机线之后，华为的麒麟芯片就因为众所周知原因，成为了绝唱。 后来华为不得已，将荣耀卖掉了，同时自己的手机，也用上了高通定制版4G芯片，只能推出4G手机。 于是我们看到华为手机销量直线年，中国先进芯片，寸步难行，全球份额一直为1%？

　　众所周知，目前的芯片产业，以28nm工艺为分界点。 28nm（含22nm，因为22nm实际也是28nm工艺）以及高于28nm工艺的称之为成熟工艺，而低于28nm的，比如16nm、14nm、12nm、3nm、2nm等，均称之为先进工艺